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* 半分まで読みました。 [#m781a3f0]
-ページ: [[査読/真性・外因性半導体（中級編)(篠原著)]]
-投稿者: [[NOBU]]
-カテゴリー: 感想
-状態: 提案
-投稿日: 2006-01-20 (金) 18:09:05
** メッセージ [#qe47e3ef]
p型、n型ともにΔEのことをイオン化エネルギーと書いていますが、それは正しいのでしょうか？僕は正確なことを知らないのですが、半導体の分野でそのように定義されているなら問題ないと思います。
p型半導体のところで
「多くの場合，アクセプタとして添加される不純物の は比較的小さいため，室温付近の温度領域では熱エネルギーを得てほとんどのアクセプタがイオン化していると考えて問題はありません」と書かれていますが、熱エネルギーを得るものはなんですか？主語がはっきりしていません。
その次の文章の「また，熱エネルギーを得て電子が価電子帯から伝導帯へ励起され，電子正孔対ができるため，P形半導体にも自由電子が存在します．」も「電子が熱エネルギーを得て、価電子帯から…」とした方が何がエネルギーを得るのかはっきりすると思います。
** 返答 [#kcf190df]
- NOBUさん、査読ありがとうございます！ まず、「イオン化エネルギー」についてなのですが、この言葉は正しいと思います。参考文献にの挙げた本の中にも同じ記述がありますし、「イオン化ドナー」といった言葉を見ると、正しいことがわかると思います。 -- [[篠原]] &new{2006-01-21 (土) 00:26:06};
- 主語についてですが、そうですね。はっきりしていませんでした。ドナーの場合、主語は「ドナー準位の電子」で、アクセプタの場合の主語は、「価電子帯の電子」です。修正いたします。 -- [[篠原]] &new{2006-01-21 (土) 00:30:10};
- 記事を修正してみました！いかがでしょう？ -- [[篠原]] &new{2006-01-21 (土) 00:37:53};
- イオン化エネルギーという表現については、原子のイオン化エネルギーとの混同が予想されると思います。半導体工学の分野では一般的なのかもしれませんが、化学系の私には違和感が残ります。ですので、出来ることなら、別のより一般的な表現を用いるか、注釈をつけるとよりよいと思います。 -- [[nooon]] &new{2006-01-21 (土) 03:23:25};
- 僕もnooonさんと同じことを考えていました。一冊の教科書だけで判断するのはあまり良いことではありませんので、僕も少し調べて見ます、しばしお待ちを。いずれにしても注釈は付けた方が良いかもしれませんね。 -- [[NOBU]] &new{2006-01-21 (土) 14:09:54};
- nooonさん、コメントありがとうございます。違う分野の方から見ると違和感を感じるのですね。私はこの分野の中にしかいないので、あまりそのような違和感を感じることが出来ません。お二人とも、貴重なご意見ありがとうございます。では、「ドナー準位の深さ」なんて表現はどうでしょうか？ご意見、お待ちしております。 -- [[篠原]] &new{2006-01-22 (日) 00:12:04};
- すいません、なんだか忙しくて返信が遅れました。イオン化エネルギーでなければ、基本的になんでも良いような気がします。絵をみればどこのことを言っているかわかりますし。 -- [[NOBU]] &new{2006-01-25 (水) 16:03:53};
- 修正した箇所に関しては良くなったと思います。p型のところでまだ「アクセプタは周囲からイオン化エネルギー \Delta E を熱エネルギーとして得ることにより，」とあるのでここも修正した方が良いと思います。 -- [[NOBU]] &new{2006-01-26 (木) 17:37:59};
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査読/真性・外因性半導体（中級編)(篠原著)/4 のバックアップ差分(No.13)
