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真性・外因性半導体(中級編)
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初級編では、真性半導体、P形、N形半導体について、シリコンを例に説明してきました。中級編では、これらのバンド構造について説明します。
この記事を読む前に、 `導体・絶縁体・半導体`_ を一読されることをお勧めします。
.. _`導体・絶縁体・半導体`: http://www12.plala.or.jp/ksp/solid/differenceOfResistance/
真性半導体
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真性半導体のバンド構造は、 `導体・絶縁体・半導体`_ で見たとおり、下の図のようなバンド構造です。
.. _`導体・絶縁体・半導体`: http://www12.plala.or.jp/ksp/solid/differenceOfResistance/
＜図（後で描きます）＞
絶対零度（0[K)]では、価電子帯や伝導帯にキャリアは全く存在せず、電界をかけても電流は流れません。
しかし、ある有限の温度（例えば300[K]）では、熱からエネルギーを得た電子が価電子帯から伝導帯へ飛び移り、電子正孔対ができます。このため、温度上昇とともに低くなります。
しかし、ある有限の温度（例えば300[K]）では、熱からエネルギーを得た電子が価電子帯から伝導帯へ飛び移り、電子正孔対ができます。このため、温度上昇とともに抵抗率が低くなります。
N形半導体
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ドナー
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ドナー準位
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P形半導体
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アクセプタ
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アクセプタ準位
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ドナー･アクセプタ準位のおよその計算
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@@author:篠原@@
@@accept:2005-12-28@@
公開制作/真性・外因性半導体(中級編)/記事ソース のバックアップ差分(No.5)
