公開制作/真性・外因性半導体(中級編)/記事ソース のバックアップ(No.4)
公開制作/真性・外因性半導体(中級編)/記事ソース のバックアップ(No.4)
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================================ 真性・外因性半導体(中級編) ================================ 初級編では、真性半導体、P形、N形半導体について、シリコンを例に説明してきました。中級編では、これらのバンド構造について説明します。 この記事を読む前に、 `導体・絶縁体・半導体`_ を一読されることをお勧めします。 .. _`導体・絶縁体・半導体`: http://www12.plala.or.jp/ksp/solid/differenceOfResistance/ 真性半導体 ------------------------------- 真性半導体のバンド構造は、 `導体・絶縁体・半導体`_ で見たとおり、下の図のようなバンド構造です。 .. _`導体・絶縁体・半導体`: http://www12.plala.or.jp/ksp/solid/differenceOfResistance/ ＜図（後で描きます）＞ 絶対零度（0[K)]では、価電子帯や伝導帯にキャリアは全く存在せず、電界をかけても電流は流れません。 しかし、ある有限の温度（例えば300[K]）では、熱からエネルギーを得た電子が価電子帯から伝導帯へ飛び移り、電子正孔対ができます。このため、温度上昇とともに低くなります。 N形半導体 ------------------------------- ドナー ^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^ ドナー準位 ^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^ P形半導体 ------------------------------- アクセプタ ^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^ アクセプタ準位 ^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^^ ドナー･アクセプタ準位のおよその計算 ------------------------------- @@author:篠原@@ @@accept:2005-12-28@@
